NTNS3193NZT5G, Транзистор MOSFET одиночный
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
NTNS3193NZT5G
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET, N-CH, 20V, 0.224A, XLLGA-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:224mA; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):0.65ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs:1V;
В упаковке:
8000 шт
Цена от:
14,01 руб.
Нет в наличии
Описание NTNS3193NZT5G
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
|---|---|
| Серия | NTNS3193NZ |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Упаковка / блок | XLLGA-3 |
| Продукт | MOSFET |
| Вес изделия | 0.500 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 120 mW |
| Конфигурация | Single |
| Технология | Si |
| Время спада | 110 ns |
| Время нарастания | 35 ns |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 20 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 224 mA |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1.4 Ohms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 8 V |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 201 ns |
| Типичное время задержки при включении | 18 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |
| Qg - заряд затвора | 700 pC |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка NTNS3193NZT5G
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 227 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2157 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара