NTTFS4C02NTAG, Транзистор MOSFET одиночный
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
NTTFS4C02NTAG
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET, N-CH, 30V, 170A, WDFN-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:170A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.019ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.6V; Po
Нормоупаковка:
1500 шт
Цена от:
113,52 руб.
Нет в наличии
Описание NTTFS4C02NTAG
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
|---|---|
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Упаковка / блок | WDFN-8 |
| Вес изделия | 17 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Технология | Si |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 170 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1.9 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.3 V |
| Qg - заряд затвора | 20 nC |
| Pd - рассеивание мощности | 91 W |
| Канальный режим | Enhancement |
| Конфигурация | Single |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 140 S |
| Время спада | 10 ns |
| Время нарастания | 116 ns |
| Типичное время задержки выключения | 25 ns |
| Типичное время задержки при включении | 12 ns |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка NTTFS4C02NTAG
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 281 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 611 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 324 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 196 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара