NVB110N65S3F, Транзистор MOSFET одиночный
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
NVB110N65S3F
Производитель:
Описание Eng:
N-Channel 650V 30A 240W Surface Mount D2PAK
В упаковке:
800 шт
Цена от:
375,71 руб.
Нет в наличии
Описание NVB110N65S3F
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
|---|---|
| Серия | SuperFET3 |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| ECCN | EAR99 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Вес изделия | 1.485 g |
| Упаковка / блок | TO-263-3 |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 240 W |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 650 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 30 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 110 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
| Qg - заряд затвора | 58 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Конфигурация | Single |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 17 S |
| Время спада | 16 ns |
| Время нарастания | 32 ns |
| Типичное время задержки выключения | 61 ns |
| Типичное время задержки при включении | 29 ns |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка NVB110N65S3F
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 227 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2157 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара