NVD5C464NT4G, Транзистор MOSFET одиночный
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
NVD5C464NT4G
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET, N-CH, 40V, 59A, TO-252-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:59A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):0.0048ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; Pow
В упаковке:
2500 шт
Цена от:
83,95 руб.
Нет в наличии
Описание NVD5C464NT4G
| Упаковка | Reel, Cut Tape |
|---|---|
| Серия | NVD5C464N |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Упаковка / блок | DPAK-4 |
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 40 W |
| Конфигурация | Single |
| Технология | Si |
| Время спада | 5 ns |
| Время нарастания | 40 ns |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 40 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 59 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 4.8 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 18 ns |
| Типичное время задержки при включении | 9 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Qg - заряд затвора | 20 nC |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 55 S |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка NVD5C464NT4G
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 227 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2157 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара