NVMFS6H824NT1G, Транзистор MOSFET одиночный
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
NVMFS6H824NT1G
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET, N-CH, 80V, 103A, 175°C, 115W; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:103A; Drain Source Voltage Vds:80V; On Resistance Rds(on):0.0037ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs
Нормоупаковка:
1500 шт
Цена от:
97,40 руб.
Внешние склады
-
75+ 108+ 216+ 1080+118,94 ₽ 102,57 ₽ 99,98 ₽ 97,40 ₽Срок:25 днейНаличие:1 500Минимум:Мин: 75Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Описание NVMFS6H824NT1G
| Brand | onsemi |
|---|---|
| Тип канала | N |
| Максимальный непрерывный ток стока | 103 A |
| Максимальное напряжение сток-исток | 80 В |
| Тип корпуса | DFN |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Число контактов | 5 |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 4,5 мΩ |
| Номер канала | Поднятие |
| Максимальное пороговое напряжение включения | 4V |
| Минимальное пороговое напряжение включения | 2V |
| Максимальное рассеяние мощности | 115 Вт |
| Конфигурация транзистора | Одинарный |
| Максимальное напряжение затвор-исток | ±20 В |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Высота | 1.05мм |
| Ширина | 6.1мм |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Прямое напряжение диода | 1.2V |
| Максимальная рабочая температура | +175 °C |
| Автомобильный стандарт | AEC-Q101 |
| Длина | 5.1мм |
| Типичный заряд затвора при Vgs | 38 нКл при 10 В |
| Страна происхождения | MY |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка NVMFS6H824NT1G
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 129 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 568 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара