NVMTS0D4N04CLTXG, Транзистор MOSFET одиночный
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
NVMTS0D4N04CLTXG
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET, AECQ101, N-CH, 40V, 553.8A, 244W; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:553.8A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):0.0003ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage
Нормоупаковка:
3000 шт
Цена от:
684,38 руб.
Внешние склады
-
11+ 16+ 31+ 151+ 755+850,85 ₽ 733,71 ₽ 715,21 ₽ 696,71 ₽ 684,38 ₽Срок:25 днейНаличие:3 000Минимум:Мин: 11Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Описание NVMTS0D4N04CLTXG
| Brand | onsemi |
|---|---|
| Тип канала | N |
| Максимальный непрерывный ток стока | 553.8 A |
| Максимальное напряжение сток-исток | 40 В |
| Тип корпуса | DFNW |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Число контактов | 8 |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 640 μΩ |
| Номер канала | Поднятие |
| Максимальное пороговое напряжение включения | 2.5V |
| Минимальное пороговое напряжение включения | 1V |
| Максимальное рассеяние мощности | 244 W |
| Конфигурация транзистора | Одинарный |
| Максимальное напряжение затвор-исток | ±20 В |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Прямое напряжение диода | 1.2V |
| Максимальная рабочая температура | +175 °C |
| Автомобильный стандарт | AEC-Q101 |
| Длина | 8.1мм |
| Типичный заряд затвора при Vgs | 163 nC @ 4.5 |
| Высота | 1.15мм |
| Ширина | 8мм |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка NVMTS0D4N04CLTXG
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 129 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 568 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара