NVMTS0D6N04CLTXG, Транзистор MOSFET одиночный
Цена от:
496,11 руб.
Внешние склады
-
15+ 21+ 42+ 209+ 1041+616,78 ₽ 531,86 ₽ 518,46 ₽ 505,05 ₽ 496,11 ₽Срок:25 днейНаличие:3 000Минимум:Мин: 15Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Описание NVMTS0D6N04CLTXG
| ECCN | EAR99 |
|---|---|
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка | Reel, Cut Tape |
| Технология | Si |
| Упаковка / блок | PQFN-88-8 |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Время нарастания | 111 ns |
| Время спада | 84.7 ns |
| Pd - рассеивание мощности | 245.4 W |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 40 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 554.5 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 420 uOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Qg - заряд затвора | 126 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 323 S |
| Типичное время задержки выключения | 180 ns |
| Типичное время задержки при включении | 89.4 ns |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка NVMTS0D6N04CLTXG
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 129 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 568 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара