NVR5124PLT1G, Транзистор MOSFET одиночный
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
NVR5124PLT1G
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET, AEC-Q101, P-CH, -60V, SOT-23; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-1.1A; Drain Source Voltage Vds:-60V; On Resistance Rds(on):0.183ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:
Нормоупаковка:
3000 шт
Цена от:
9,40 руб.
Внешние склады
-
765+ 1119+ 2228+ 11101+11,48 ₽ 9,90 ₽ 9,65 ₽ 9,40 ₽Срок:25 днейНаличие:12 000Минимум:Мин: 765Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Описание NVR5124PLT1G
| Серия | NVR5124PL |
|---|---|
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
| Вес изделия | 8 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 0.47 W |
| Конфигурация | Single |
| Технология | Si |
| Время спада | 3.5 ns |
| Время нарастания | 10.6 ns |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 1.1 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 230 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 P-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 12.2 ns |
| Типичное время задержки при включении | 6.6 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.5 V |
| Qg - заряд затвора | 2.3 nC |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 4 S |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка NVR5124PLT1G
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 3518 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 6101 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 568 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 303 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара