NVTFS003N04CTAG, Транзистор MOSFET одиночный
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
NVTFS003N04CTAG
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET, AEC-Q101, N-CH, 40V, 103A, 69W; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:103A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):0.0029ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:
Нормоупаковка:
1500 шт
Цена от:
90,73 руб.
Внешние склады
-
79+ 115+ 230+ 1147+110,80 ₽ 95,55 ₽ 93,14 ₽ 90,73 ₽Срок:25 днейНаличие:1 500Минимум:Мин: 79Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Описание NVTFS003N04CTAG
| ECCN | EAR99 |
|---|---|
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Технология | Si |
| Упаковка / блок | WDFN-8 |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Время нарастания | 47 ns |
| Время спада | 3 ns |
| Pd - рассеивание мощности | 69 W |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 40 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 103 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 3.5 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.5 V |
| Qg - заряд затвора | 23 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 93 S |
| Типичное время задержки выключения | 19 ns |
| Типичное время задержки при включении | 10 ns |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка NVTFS003N04CTAG
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 136 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 568 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 303 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара