NVTFWS014P04M8LTAG, Транзистор MOSFET одиночный
Цена от:
49,20 руб.
Внешние склады
-
148+ 214+ 428+ 2138+60,08 ₽ 51,81 ₽ 50,51 ₽ 49,20 ₽Срок:25 днейНаличие:3 000Минимум:Мин: 148Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Описание NVTFWS014P04M8LTAG
| ECCN | EAR99 |
|---|---|
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Технология | Si |
| Упаковка / блок | WDFN-8 |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Время нарастания | 97.4 ns |
| Время спада | 38.2 ns |
| Pd - рассеивание мощности | 61 W |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 40 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 49 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 13.8 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.4 V |
| Qg - заряд затвора | 26.5 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 P-Channel |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 42 S |
| Типичное время задержки выключения | 44.5 ns |
| Типичное время задержки при включении | 11.5 ns |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка NVTFWS014P04M8LTAG
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 129 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 568 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара