TK4R4P06PL.RQ, моп-транзистор n-ch 60v 3280pf 48.2nc 106a 87w
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
МОП-транзистор N-Ch 60V 3280pF 48.2nC 106A 87W
Производитель:
Toshiba Semiconductor
Артикул:
TK4R4P06PL.RQ
Описание TK4R4P06PL.RQ
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
|---|---|
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка / блок | TO-252-3 |
| Упаковка | Reel, Cut Tape |
| Серия | TK4R4P06PL |
| Вес изделия | 200 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Pd - рассеивание мощности | 87 W |
| Технология | Si |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Время нарастания | 10 ns |
| Время спада | 18 ns |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 106 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 3.4 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 55 ns |
| Типичное время задержки при включении | 24 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.5 V |
| Qg - заряд затвора | 48.2 nC |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара