IGB30N60H3, Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600v Hi-Speed SW IGBT
Изображения служат только для ознакомления
Цена от:
274,10 руб.
Нет в наличии
Описание IGB30N60H3
| Вид монтажа | SMD/SMT |
|---|---|
| Серия | HighSpeed 3 |
| Упаковка | Reel, Cut Tape |
| Вес изделия | 2.200 g |
| ECCN | EAR99 |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Коммерческое обозначение | TRENCHSTOP |
| Упаковка / блок | TO-263-3 |
| Конфигурация | Single |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 600 V |
| Pd - рассеивание мощности | 187 W |
| Технология | Si |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.95 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 60 A |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 100 nA |
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка IGB30N60H3 , Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600v Hi-Speed SW IGBT
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 136 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2231 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 568 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 303 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара