BUK9K29-100E.115, моп-транзистор dual n-channel 100 v 29 mo fet
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
Описание BUK9K29-100E.115
| Вид монтажа | SMD/SMT |
|---|---|
| Упаковка / блок | LFPAK56D-8 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Pd - рассеивание мощности | 68 W |
| Вес изделия | 118.300 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Время нарастания | 6.4 ns |
| Время спада | 35.1 ns |
| Технология | Si |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Количество каналов | 2 Channel |
| Конфигурация | Dual |
| Тип транзистора | 2 N-Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 30 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 25.1 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 15 V, + 15 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.7 V |
| Qg - заряд затвора | 5.6 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Типичное время задержки выключения | 67.3 ns |
| Типичное время задержки при включении | 6.1 ns |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара