SI7423DN-T1-GE3, МОП-транзистор 30V 11.7A 3.8W 18mohm @ 10V
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
SI7423DN-T1-GE3
Производитель:
Есть технические вопросы по товару или производителю? Задайте их нашему инженеру.
Телеграм MAX Заказать бесплатный образецЦена от:
156,16 руб.
Нет в наличии
Описание SI7423DN-T1-GE3
| Серия | SI7 |
|---|---|
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Высота | 1.04 mm |
| Длина | 3.3 mm |
| Ширина | 3.3 mm |
| ECCN | EAR99 |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Упаковка / блок | PowerPAK-1212-8 |
| Pd - рассеивание мощности | 3.8 W |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Коммерческое обозначение | TrenchFET |
| Технология | Si |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 11.7 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 30 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
| Qg - заряд затвора | 56 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка SI7423DN-T1-GE3 , МОП-транзистор 30V 11.7A 3.8W 18mohm @ 10V
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 233 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2425 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара