BD239CTU, биполярные транзисторы - bjt npn epitaxial sil
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
Описание BD239CTU
| Серия | BD239C |
|---|---|
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Упаковка | Tube |
| Высота | 9.4 mm |
| Длина | 10.1 mm |
| Ширина | 4.7 mm |
| Вес изделия | 1.800 g |
| ECCN | EAR99 |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Pd - рассеивание мощности | 30 W |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Технология | Si |
| Конфигурация | Single |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 100 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 700 mV |
| Полярность транзистора | NPN |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 2 A |
| Непрерывный коллекторный ток | 2 A |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 15 |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара