EMH3FHAT2R, Биполярные транзисторы - BJT TRANS DIGITAL NPN+NPN

Код товара: 10310444

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
EMH3FHAT2R
Производитель:

Описание EMH3FHAT2R

Вид монтажаSMD/SMT
Упаковка / блокSOT-563-6
Максимальная рабочая температура+ 150 C
КвалификацияAEC-Q101
УпаковкаReel, MouseReel, Cut Tape
ТехнологияSi
ECCNEAR99
Pd - рассеивание мощности150 mW
КонфигурацияDual
Полярность транзистораNPN
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.50 V
Напряжение коллектор-база (VCBO)50 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)5 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер300 mV
Непрерывный коллекторный ток100 mA
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)100
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)250 MHz
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.600

Нашли ошибку? Выделите текст с ошибкой и нажмите Ctrl+Enter

Способы доставки в Екатеринбург

Доставка EMH3FHAT2R , Биполярные транзисторы - BJT TRANS DIGITAL NPN+NPN в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 237
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2231
EMS
от 1 раб. дня
от 668
Почта России
от 1 раб. дня
от 341
СДЭК
от 2 раб. дней
от 194
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.