STB35N65DM2, Транзистор MOSFET одиночный
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
STB35N65DM2
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET, 650V, 32A, 150°C, 250W, TO263; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:32A; Drain Source Voltage Vds:650V; On Resistance Rds(on):0.093ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs
В упаковке:
1000 шт
Цена от:
218,29 руб.
Нет в наличии
Описание STB35N65DM2
| Количество каналов | 1 Channel |
|---|---|
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Серия | DM2 |
| Упаковка | Reel, Cut Tape |
| Pd - рассеивание мощности | 250 W |
| Вес изделия | 1.380 g |
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Конфигурация | Single |
| Технология | Si |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 650 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 28 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 94 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 25 V, + 25 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
| Qg - заряд затвора | 56.3 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка STB35N65DM2
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 252 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2075 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара