STB45N60DM2AG, Транзистор MOSFET одиночный
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
STB45N60DM2AG
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET, AECQ101, N-CH, 600V, 34A, TO-263; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:34A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(on):0.085ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs
Нормоупаковка:
1000 шт
Цена от:
545,73 руб.
Нет в наличии
Описание STB45N60DM2AG
| Упаковка / блок | D2PAK-3 |
|---|---|
| Серия | STB45N60DM2AG |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Вес изделия | 4 g |
| ECCN | EAR99 |
| Продукт | Power MOSFET |
| Тип | High Voltage |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Длина | 10.4 mm |
| Ширина | 9.35 mm |
| Высота | 4.6 mm |
| Конфигурация | Single |
| Технология | Si |
| Коммерческое обозначение | MDmesh |
| Pd - рассеивание мощности | 250 W |
| Время спада | 6 ns |
| Время нарастания | 27 ns |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 34 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 93 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
| Qg - заряд затвора | 56 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel Power MOSFET |
| Типичное время задержки выключения | 85 ns |
| Типичное время задержки при включении | 29 ns |
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка STB45N60DM2AG
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 139 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2200 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара