STB8N90K5, Транзистор MOSFET одиночный
Цена от:
422,86 руб.
Внешние склады
-
17+ 25+ 50+ 246+516,40 ₽ 445,31 ₽ 434,08 ₽ 422,86 ₽Срок:25 днейНаличие:1 000Минимум:Мин: 17Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Описание STB8N90K5
| Упаковка / блок | TO-263-3 |
|---|---|
| Серия | STB8N90K5 |
| Вес изделия | 2.200 g |
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Конфигурация | Single |
| Технология | Si |
| Коммерческое обозначение | MDmesh |
| Pd - рассеивание мощности | 130 W |
| Время спада | 13.5 ns |
| Время нарастания | 13.2 ns |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 900 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 8 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 600 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
| Qg - заряд затвора | 11 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 36.4 ns |
| Типичное время задержки при включении | 14.7 ns |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка STB8N90K5
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 129 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2200 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара