STB9NK80Z, Транзистор MOSFET одиночный
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
STB9NK80Z
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET, AEC-Q101, N-CH, 800V, 5.2A, 125W; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:5.2A; Drain Source Voltage Vds:800V; On Resistance Rds(on):1.5ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:
Нормоупаковка:
1000 шт
Цена от:
138,60 руб.
Внешние склады
-
52+ 76+ 151+ 751+169,26 ₽ 145,96 ₽ 142,28 ₽ 138,60 ₽Срок:25 днейНаличие:1 000Минимум:Мин: 52Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Описание STB9NK80Z
| Упаковка / блок | TO-263-3 |
|---|---|
| Серия | STB9NK80Z |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Вес изделия | 4 g |
| ECCN | EAR99 |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Конфигурация | Single |
| Технология | Si |
| Коммерческое обозначение | SuperMESH |
| Pd - рассеивание мощности | 125 W |
| Время спада | 22 ns |
| Время нарастания | 12 ns |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 800 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 5.2 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1.5 Ohms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3.75 V |
| Qg - заряд затвора | 40 nC |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 45 ns |
| Типичное время задержки при включении | 20 ns |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка STB9NK80Z
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 129 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2200 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара