STD11N60DM2, Транзистор MOSFET одиночный
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
STD11N60DM2
Производитель:
Описание Eng:
POWER MOSFET, N CHANNEL, 10A, TO-252-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:10A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(on):0.37ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V
Нормоупаковка:
2500 шт
Цена от:
111,24 руб.
Внешние склады
-
65+ 94+ 187+ 935+135,84 ₽ 117,14 ₽ 114,19 ₽ 111,24 ₽Срок:25 днейНаличие:2 500Минимум:Мин: 65Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Описание STD11N60DM2
| Упаковка / блок | TO-252-3 |
|---|---|
| Серия | STD11N60DM2 |
| Вес изделия | 340 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Конфигурация | Single |
| Технология | Si |
| Коммерческое обозначение | MDmesh |
| Pd - рассеивание мощности | 110 W |
| Время спада | 9.5 ns |
| Время нарастания | 6.3 ns |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 10 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 370 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 25 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
| Qg - заряд затвора | 16.5 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 31 ns |
| Типичное время задержки при включении | 11.7 ns |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка STD11N60DM2
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 130 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2200 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара