STD11N65M2, Транзистор MOSFET одиночный
Цена от:
82,75 руб.
Внешние склады
-
87+ 126+ 252+ 1257+101,05 ₽ 87,14 ₽ 84,95 ₽ 82,75 ₽Срок:25 днейНаличие:2 500Минимум:Мин: 87Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Описание STD11N65M2
| Упаковка / блок | TO-252-3 |
|---|---|
| Серия | STD11N65M2 |
| Вес изделия | 4 g |
| ECCN | EAR99 |
| Продукт | Power MOSFET |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Технология | Si |
| Коммерческое обозначение | MDmesh II Plus |
| Pd - рассеивание мощности | 85 W |
| Время спада | 15 ns |
| Время нарастания | 7.5 ns |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 650 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 7 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 670 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 25 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
| Qg - заряд затвора | 12.5 nC |
| Типичное время задержки выключения | 26 ns |
| Типичное время задержки при включении | 9.5 ns |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка STD11N65M2
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 129 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2200 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара