STD13N60DM2, Транзистор MOSFET одиночный
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
STD13N60DM2
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET, N-CH, 600V, 11A, 150°C, 110W; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:11A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(on):0.31ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4
Нормоупаковка:
2500 шт
Цена от:
70,50 руб.
Внешние склады
-
102+ 150+ 300+ 1497+ 7485+87,66 ₽ 75,60 ₽ 73,68 ₽ 71,76 ₽ 70,50 ₽Срок:25 днейНаличие:25 000Минимум:Мин: 102Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Описание STD13N60DM2
| Упаковка / блок | TO-252-3 |
|---|---|
| Серия | STD13N60DM2 |
| Вес изделия | 340 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Конфигурация | Single |
| Технология | Si |
| Коммерческое обозначение | MDmesh |
| Pd - рассеивание мощности | 110 W |
| Время спада | 10.6 ns |
| Время нарастания | 4.8 ns |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 11 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 310 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 25 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
| Qg - заряд затвора | 19 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 42.5 ns |
| Типичное время задержки при включении | 12.3 ns |
Способы доставки в Калининград
Доставка STD13N60DM2
в город Калининград
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 345 ₽
Деловые линии
от 16 раб. дней
от 2304 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1548 ₽
Почта России
от 17 раб. дней
от 720 ₽
СДЭК
от 3 раб. дней
от 832 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара