STD2N105K5, Транзистор MOSFET одиночный
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
STD2N105K5
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET, N-CH, 1.05KV, 1.5A, 60W, TO-252; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:1.5A; Drain Source Voltage Vds:1.05kV; On Resistance Rds(on):6ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4
Нормоупаковка:
2500 шт
Цена от:
83,31 руб.
Внешние склады
-
87+ 125+ 250+ 1249+101,74 ₽ 87,73 ₽ 85,52 ₽ 83,31 ₽Срок:25 днейНаличие:2 500Минимум:Мин: 87Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Описание STD2N105K5
| Упаковка / блок | TO-252-3 |
|---|---|
| Серия | STD2N105K5 |
| Вес изделия | 4 g |
| ECCN | EAR99 |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Конфигурация | Single |
| Технология | Si |
| Коммерческое обозначение | MDmesh |
| Pd - рассеивание мощности | 60 W |
| Время спада | 38.5 ns |
| Время нарастания | 8.5 ns |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 1.05 kV |
| Id - непрерывный ток утечки | 1.5 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 6 Ohms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
| Qg - заряд затвора | 10 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Типичное время задержки выключения | 35 ns |
| Типичное время задержки при включении | 14.5 ns |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка STD2N105K5
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 129 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2200 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара