STF11N60DM2, Транзистор MOSFET одиночный
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
STF11N60DM2
Производитель:
Описание Eng:
POWER MOSFET, N CHANNEL, 10A, TO-220FP-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:10A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(on):0.37ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:
В упаковке:
50 шт
Цена от:
197,44 руб.
Нет в наличии
Описание STF11N60DM2
| Упаковка | Tube |
|---|---|
| Серия | STF11N60DM2 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Вес изделия | 2 g |
| ECCN | EAR99 |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Pd - рассеивание мощности | 25 W |
| Конфигурация | Single |
| Коммерческое обозначение | MDmesh |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 10 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 370 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 25 V, + 25 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
| Qg - заряд затвора | 16.5 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Время спада | 9.5 ns |
| Время нарастания | 6.3 ns |
| Типичное время задержки выключения | 31 ns |
| Типичное время задержки при включении | 11.7 ns |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка STF11N60DM2
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 252 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2075 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара