STF12N50M2, Транзистор MOSFET одиночный
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
STF12N50M2
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET, N-CH, 500V, 10A, TO-220FP; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:10A; Drain Source Voltage Vds:500V; On Resistance Rds(on):0.325ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3V; Po
Нормоупаковка:
50 шт
Цена от:
181,15 руб.
Внешние склады
-
40+ 58+ 115+ 574+221,22 ₽ 190,77 ₽ 185,96 ₽ 181,15 ₽Срок:25 днейНаличие:600Минимум:Мин: 40Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Описание STF12N50M2
| Упаковка | Tube |
|---|---|
| Серия | STF12N50M2 |
| Вес изделия | 2.300 g |
| ECCN | EAR99 |
| Коммерческое обозначение | MDmesh |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 85 W |
| Технология | Si |
| Время спада | 34.5 ns |
| Время нарастания | 10.5 ns |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 500 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 10 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 325 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 25 V, + 25 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Qg - заряд затвора | 15 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Типичное время задержки выключения | 8 ns |
| Типичное время задержки при включении | 13.5 ns |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка STF12N50M2
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 136 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 568 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 303 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара