STF35N65DM2, Транзистор MOSFET одиночный
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
STF35N65DM2
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET, N-CH, 32A, 650V, TO-220FP; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:32A; Drain Source Voltage Vds:650V; On Resistance Rds(on):0.093ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; Po
Нормоупаковка:
50 шт
Цена от:
582,82 руб.
Внешние склады
-
13+ 18+ 36+ 179+711,76 ₽ 613,76 ₽ 598,29 ₽ 582,82 ₽Срок:25 днейНаличие:200Минимум:Мин: 13Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Описание STF35N65DM2
| Упаковка | Tube |
|---|---|
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Серия | STF35N65DM2 |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Вес изделия | 1.690 g |
| ECCN | EAR99 |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 40 W |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 650 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 32 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 110 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 25 V, + 25 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
| Qg - заряд затвора | 56.3 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка STF35N65DM2
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 144 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2200 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 568 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 303 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара