STFH10N60M2, Транзистор MOSFET одиночный
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
STFH10N60M2
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET, N-CH, 600V, 7.5A, TO-220FP-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:7.5A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(on):0.55ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3V;
Нормоупаковка:
46 шт
Цена от:
172,68 руб.
Внешние склады
-
43+ 62+ 124+205,42 ₽ 177,15 ₽ 172,68 ₽Срок:25 днейНаличие:598Минимум:Мин: 43Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Описание STFH10N60M2
| Упаковка / блок | TO-220FP-3 |
|---|---|
| Серия | STFH10N60M2 |
| Вес изделия | 100 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Упаковка | Tube |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Конфигурация | Single |
| Технология | Si |
| Коммерческое обозначение | MDmesh |
| Pd - рассеивание мощности | 25 W |
| Время спада | 13.2 ns |
| Время нарастания | 8 ns |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 7.5 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 550 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 25 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Qg - заряд затвора | 13.5 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 32.5 ns |
| Типичное время задержки при включении | 8.8 ns |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка STFH10N60M2
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 150 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 568 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 303 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара