STFW40N60M2, Транзистор MOSFET одиночный
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
STFW40N60M2
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET, N-CH, 600V, 34A, TO-3PF; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:34A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(on):0.078ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3V; Powe
Нормоупаковка:
30 шт
Цена от:
523,57 руб.
Внешние склады
-
14+ 20+ 40+ 199+639,39 ₽ 551,36 ₽ 537,46 ₽ 523,57 ₽Срок:25 днейНаличие:210Минимум:Мин: 14Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Описание STFW40N60M2
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
|---|---|
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Упаковка / блок | TO-3PF-3 |
| Упаковка | Tube |
| Серия | STFW40N60M2 |
| Pd - рассеивание мощности | 63 W |
| ECCN | EAR99 |
| Вес изделия | 7 g |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Технология | Si |
| Конфигурация | Single |
| Время нарастания | 13.5 ns |
| Время спада | 11 ns |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 78 mOhms |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 34 A |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 25 V, + 25 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Qg - заряд затвора | 57 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 96 ns |
| Типичное время задержки при включении | 20.5 ns |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка STFW40N60M2
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 136 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2200 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 568 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 303 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара