STI20N65M5, Транзистор MOSFET одиночный
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
STI20N65M5
Описание Eng:
POWER MOSFET, N CHANNEL, 18A, TO-262-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:18A; Drain Source Voltage Vds:650V; On Resistance Rds(on):0.19ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V
В упаковке:
50 шт
Есть технические вопросы по товару или производителю? Задайте их нашему инженеру.
Телеграм MAX Заказать бесплатный образецЦена от:
315,91 ₽
Нет в наличии
Описание STI20N65M5
| Упаковка / блок | TO-262-3 |
|---|---|
| Серия | STI20N65M5 |
| Вес изделия | 1.438 g |
| ECCN | EAR99 |
| Упаковка | Tube |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Конфигурация | Single |
| Технология | Si |
| Коммерческое обозначение | MDmesh |
| Pd - рассеивание мощности | 130 W |
| Время спада | 7.5 ns |
| Время нарастания | 7.5 ns |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 650 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 18 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 160 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 25 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4 V |
| Qg - заряд затвора | 36 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Разрешительная документация
Товар не подлежит обязательной сертификации и декларированию.
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка STI20N65M5
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 233 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2392 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара