TPH2R506PL,L1Q, МОП-транзистор N-Ch 60V 4180pF 60nC 160A 132W
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
МОП-транзистор N-Ch 60V 4180pF 60nC 160A 132W
Артикул:
TPH2R506PL,L1Q
Производитель:
Описание TPH2R506PL,L1Q
| Вид монтажа | SMD/SMT |
|---|---|
| Упаковка / блок | SOP-8 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Вес изделия | 79 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Длина | 5 mm |
| Ширина | 5 mm |
| Высота | 0.95 mm |
| Технология | Si |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Pd - рассеивание мощности | 132 W |
| Коммерческое обозначение | U-MOSIX-H |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 160 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1.9 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.5 V |
| Qg - заряд затвора | 60 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Время спада | 13 ns |
| Время нарастания | 7.1 ns |
| Типичное время задержки выключения | 39 ns |
| Типичное время задержки при включении | 16 ns |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара