STP110N8F6, Транзистор MOSFET одиночный
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
STP110N8F6
Производитель:
Описание Eng:
Trans MOSFET N-CH 80V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Нормоупаковка:
1000 шт
Цена от:
62,52 руб.
Внешние склады
-
114+ 168+ 335+ 1671+ 8353+77,70 ₽ 67,02 ₽ 65,34 ₽ 63,66 ₽ 62,52 ₽Срок:25 днейНаличие:45 000Минимум:Мин: 114Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Описание STP110N8F6
| Серия | STP110N8F6 |
|---|---|
| Коммерческое обозначение | STripFET |
| Вес изделия | 330 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Высота | 15.75 mm |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Длина | 10.4 mm |
| Ширина | 4.6 mm |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Время спада | 48 ns |
| Pd - рассеивание мощности | 200 W |
| Время нарастания | 61 ns |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Технология | Si |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 80 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 110 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 6.5 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.5 V |
| Qg - заряд затвора | 150 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel Power MOSFET |
| Типичное время задержки выключения | 162 ns |
| Типичное время задержки при включении | 24 ns |
Способы доставки в Калининград
Доставка STP110N8F6
в город Калининград
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 345 ₽
Деловые линии
от 16 раб. дней
от 2304 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1548 ₽
Почта России
от 17 раб. дней
от 720 ₽
СДЭК
от 3 раб. дней
от 743 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара