STP28NM60ND, Транзистор MOSFET одиночный
Цена от:
569,70 руб.
Нет в наличии
Описание STP28NM60ND
| Упаковка | Tube |
|---|---|
| Серия | STP28NM60ND |
| Вес изделия | 330 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 190 W |
| Технология | Si |
| Время спада | 27 ns |
| Время нарастания | 21.5 ns |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 650 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 23 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 150 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 25 V, + 25 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4 V |
| Qg - заряд затвора | 62.5 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 92 ns |
| Типичное время задержки при включении | 23.5 ns |
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка STP28NM60ND
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 303 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара