STQ2LN60K3-AP, Транзистор MOSFET одиночный
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
STQ2LN60K3-AP
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET, N-CH, 600V, 0.6A, TO-92;
Нормоупаковка:
2000 шт
Цена от:
30,40 руб.
Внешние склады
-
231+ 335+ 670+ 3349+37,12 ₽ 32,01 ₽ 31,20 ₽ 30,40 ₽Срок:25 днейНаличие:4 000Минимум:Мин: 231Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Описание STQ2LN60K3-AP
| Упаковка | Ammo Pack |
|---|---|
| Серия | STQ2LN60K3-AP |
| Вес изделия | 220 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Коммерческое обозначение | MDmesh |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Упаковка / блок | TO-92-3 |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 2.5 W |
| Технология | Si |
| Время спада | 21 ns |
| Время нарастания | 8.5 ns |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 600 mA |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 4.5 Ohms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4.5 V |
| Qg - заряд затвора | 12 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Типичное время задержки выключения | 23.5 ns |
| Типичное время задержки при включении | 10 ns |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка STQ2LN60K3-AP
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 129 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2200 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара