STS8N6LF6AG, Транзистор MOSFET одиночный
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
STS8N6LF6AG
Производитель:
Описание Eng:
Trans MOSFET N-CH 60V 8A Automotive 8-Pin SO N T/R
Нормоупаковка:
4000 шт
Цена от:
116,28 руб.
Внешние склады
-
62+ 90+ 179+ 895+142,00 ₽ 122,45 ₽ 119,37 ₽ 116,28 ₽Срок:25 днейНаличие:4 000Минимум:Мин: 62Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Описание STS8N6LF6AG
| Упаковка / блок | SOIC-8 |
|---|---|
| Серия | STS8N6LF6AG |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Конфигурация | Single |
| Технология | Si |
| Коммерческое обозначение | STripFET |
| Pd - рассеивание мощности | 3.2 W |
| Время спада | 7 ns |
| Время нарастания | 20 ns |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 8 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 21 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |
| Qg - заряд затвора | 27 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 56 ns |
| Типичное время задержки при включении | 9.6 ns |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка STS8N6LF6AG
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 324 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 1627 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 765 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 476 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара