STU6NF10, Транзистор MOSFET одиночный
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
STU6NF10
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET, N-CH, 100V, 6A, 175°C, 30W;
Нормоупаковка:
75 шт
Цена от:
117,06 руб.
Внешние склады
-
63+ 92+ 183+139,26 ₽ 120,09 ₽ 117,06 ₽Срок:25 днейНаличие:900Минимум:Мин: 63Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Описание STU6NF10
| Серия | STU6NF10 |
|---|---|
| Коммерческое обозначение | STripFET |
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Вес изделия | 4 g |
| Упаковка / блок | TO-251-3 |
| Упаковка | Tube |
| Pd - рассеивание мощности | 30 W |
| Время спада | 3 ns |
| Время нарастания | 10 ns |
| Конфигурация | Single |
| Технология | Si |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 6 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 250 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Qg - заряд затвора | 14 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 20 ns |
| Типичное время задержки при включении | 6 ns |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка STU6NF10
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 152 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 568 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 303 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара