STU7N65M2, Транзистор MOSFET одиночный
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
STU7N65M2
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET, N CHANNEL, 650V, 5A, TO-251-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:5A; Drain Source Voltage Vds:650V; On Resistance Rds(on):0.98ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3V;
Нормоупаковка:
75 шт
Цена от:
201,55 руб.
Внешние склады
-
37+ 53+ 106+239,77 ₽ 206,76 ₽ 201,55 ₽Срок:25 днейНаличие:525Минимум:Мин: 37Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Описание STU7N65M2
| Упаковка / блок | TO-251-3 |
|---|---|
| Серия | STU7N65M2 |
| Вес изделия | 4 g |
| ECCN | EAR99 |
| Продукт | Power MOSFET |
| Упаковка | Tube |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Технология | Si |
| Коммерческое обозначение | MDmesh |
| Pd - рассеивание мощности | 60 W |
| Время спада | 20 ns |
| Время нарастания | 20 ns |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 650 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 5 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1.15 Ohms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 25 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
| Qg - заряд затвора | 9 nC |
| Типичное время задержки выключения | 30 ns |
| Типичное время задержки при включении | 8 ns |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка STU7N65M2
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 136 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 568 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 303 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара