STW42N60M2-EP, Транзистор MOSFET одиночный
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
STW42N60M2-EP
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET, N-CH, 600V, 34A, TO-247; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:34A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(on):0.076ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3V; Powe
В упаковке:
30 шт
Цена от:
734,26 руб.
Нет в наличии
Описание STW42N60M2-EP
| Упаковка | Tube |
|---|---|
| Серия | STW42N60M2-EP |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
| Вес изделия | 38 g |
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Коммерческое обозначение | MDmesh |
| Технология | Si |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 34 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 87 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 25 V, + 25 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Qg - заряд затвора | 55 nC |
| Pd - рассеивание мощности | 250 W |
| Канальный режим | Enhancement |
| Конфигурация | Single |
| Время спада | 8 ns |
| Время нарастания | 9.5 ns |
| Типичное время задержки выключения | 96.5 ns |
| Типичное время задержки при включении | 16.5 ns |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка STW42N60M2-EP
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 252 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2075 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара