STW56N65DM2, Транзистор MOSFET одиночный
Цена от:
666,82 руб.
Нет в наличии
Описание STW56N65DM2
| Упаковка | Tube |
|---|---|
| Серия | STW56N65DM2 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Вес изделия | 38 g |
| ECCN | EAR99 |
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
| Коммерческое обозначение | MDmesh |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 650 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 48 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 58 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 25 V, + 25 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
| Qg - заряд затвора | 88 nC |
| Pd - рассеивание мощности | 360 W |
| Канальный режим | Enhancement |
| Время нарастания | 31 ns |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Время спада | 7.7 ns |
| Типичное время задержки выключения | 157 ns |
| Типичное время задержки при включении | 28 ns |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка STW56N65DM2
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 252 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2075 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара