STW72N60DM2AG, Транзистор MOSFET одиночный
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
STW72N60DM2AG
Производитель:
Описание Eng:
Trans MOSFET N-CH 600V 66A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Нормоупаковка:
30 шт
Цена от:
1 221,05 руб.
Внешние склады
-
6+ 9+ 18+ 86+1 491,19 ₽ 1 285,89 ₽ 1 253,47 ₽ 1 221,05 ₽Срок:25 днейНаличие:90Минимум:Мин: 6Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Описание STW72N60DM2AG
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
|---|---|
| Серия | STW72N60DM2AG |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Вес изделия | 38 g |
| ECCN | EAR99 |
| Продукт | Power MOSFET |
| Тип | High Voltage |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Длина | 20.15 mm |
| Ширина | 15.75 mm |
| Высота | 5.15 mm |
| Конфигурация | Single |
| Технология | Si |
| Коммерческое обозначение | MDmesh |
| Pd - рассеивание мощности | 446 W |
| Время спада | 10.4 ns |
| Время нарастания | 67 ns |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 66 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 42 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 25 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4 V |
| Qg - заряд затвора | 121 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Типичное время задержки выключения | 112 ns |
| Типичное время задержки при включении | 32 ns |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка STW72N60DM2AG
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 180 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2231 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 568 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 303 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара