STW75N60DM6, Транзистор MOSFET одиночный
Цена от:
1 334,53 руб.
Внешние склады
-
6+ 8+ 16+ 78+1 629,77 ₽ 1 405,39 ₽ 1 369,96 ₽ 1 334,53 ₽Срок:25 днейНаличие:90Минимум:Мин: 6Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Описание STW75N60DM6
| Упаковка | Tube |
|---|---|
| Серия | DM6 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Вес изделия | 4.430 g |
| ECCN | EAR99 |
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 446 W |
| Канальный режим | Enhancement |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 72 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 36 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 25 V, + 25 V |
| Qg - заряд затвора | 117 nC |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3.25 V |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка STW75N60DM6
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 712 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 3243 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 1987 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 1626 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 944 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара