STWA45N65M5, Транзистор MOSFET одиночный
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
STWA45N65M5
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET, N-CH, 650V, 35A, TO-247; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:35A; Drain Source Voltage Vds:650V; On Resistance Rds(on):0.067ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; Powe
Нормоупаковка:
30 шт
Цена от:
741,25 руб.
Внешние склады
-
10+ 15+ 29+ 141+905,23 ₽ 780,60 ₽ 760,92 ₽ 741,25 ₽Срок:25 днейНаличие:150Минимум:Мин: 10Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Описание STWA45N65M5
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
|---|---|
| Серия | STWA45N65M5 |
| Вес изделия | 38 g |
| ECCN | EAR99 |
| Упаковка | Tube |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Конфигурация | Single |
| Технология | Si |
| Коммерческое обозначение | MDmesh |
| Pd - рассеивание мощности | 210 W |
| Время спада | 9.3 ns |
| Время нарастания | 11 ns |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 650 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 35 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 67 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 25 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4 V |
| Qg - заряд затвора | 82 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка STWA45N65M5
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 136 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 568 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 303 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара