STWA65N60DM6, Транзистор MOSFET одиночный
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
STWA65N60DM6
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET, N-CH, 600V, 38A, 250W, TO-247; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:38A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(on):0.06ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V;
Нормоупаковка:
30 шт
Цена от:
955,71 руб.
Внешние склады
-
8+ 11+ 22+ 109+1 167,14 ₽ 1 006,45 ₽ 981,08 ₽ 955,71 ₽Срок:25 днейНаличие:120Минимум:Мин: 8Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Описание STWA65N60DM6
| Упаковка | Tube |
|---|---|
| Серия | DM6 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Вес изделия | 6.100 g |
| ECCN | EAR99 |
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
| Pd - рассеивание мощности | 250 W |
| Конфигурация | Single |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 38 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 71 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 25 V, + 25 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3.25 V |
| Qg - заряд затвора | 54 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка STWA65N60DM6
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 136 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2231 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 568 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 303 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара