STF43N60DM2, Транзистор MOSFET одиночный
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
STF43N60DM2
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET, N-CH, 600V, 34A, TO-220FP; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:34A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(on):0.085ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; Po
Нормоупаковка:
50 шт
Цена от:
520,02 руб.
Внешние склады
-
15+ 21+ 42+618,64 ₽ 533,47 ₽ 520,02 ₽Срок:25 днейНаличие:200Минимум:Мин: 15Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Описание STF43N60DM2
| Упаковка | Tube |
|---|---|
| Серия | STF43N60DM2 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Вес изделия | 2.300 g |
| ECCN | EAR99 |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Коммерческое обозначение | MDmesh |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 650 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 34 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 93 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 25 V, + 25 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
| Qg - заряд затвора | 56 nC |
| Pd - рассеивание мощности | 40 W |
| Канальный режим | Enhancement |
| Время нарастания | 27 ns |
| Время спада | 6 ns |
| Типичное время задержки выключения | 85 ns |
| Типичное время задержки при включении | 29 ns |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка STF43N60DM2
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 144 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2200 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 568 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 303 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара