ZXTN19020DGTA, биполярные транзисторы - bjt npn 20v high gain
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
Биполярные транзисторы - BJT NPN 20V HIGH GAIN
Производитель:
Diodes Incorporated
Артикул:
ZXTN19020DGTA
Описание ZXTN19020DGTA
| Вид монтажа | SMD/SMT |
|---|---|
| Упаковка / блок | SOT-223-4 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Серия | ZXTN190 |
| Вес изделия | 112 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Pd - рассеивание мощности | 5300 mW |
| Высота | 1.65 mm |
| Длина | 6.7 mm |
| Ширина | 3.7 mm |
| Технология | Si |
| Полярность транзистора | NPN |
| Конфигурация | Single |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 20 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 70 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 7 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 9 A |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 300 at 100 mA, 2 V, 260 at 2 A, 2 V, 130 at 9 A, 2 V, 50 at 15 A, 2 V |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 160 MHz |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 300 |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара