NPTB00004A, РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-6.0GHz 5W Gain 16dB GaN HEMT
Изображения служат только для ознакомления
Цена от:
1 367,78 руб.
Нет в наличии
Описание NPTB00004A
| Максимальная рабочая температура | + 200 C |
|---|---|
| Упаковка / блок | SOIC-8 |
| Упаковка | Tray |
| Вес изделия | 220 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Технология | GaN-on-Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Pd - рассеивание мощности | 11.6 W |
| Чувствительный к влажности | Yes |
| Усиление | 16 dB |
| Тип транзистора | HEMT |
| Рабочая частота | 6 GHz |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 1.4 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1.6 Ohms |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.6 V |
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка NPTB00004A , РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-6.0GHz 5W Gain 16dB GaN HEMT
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 227 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2200 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара