FJP5304DTU, Биполярные транзисторы - BJT NPN Triple Diffused Planar Silicon
Цена от:
111,01 руб.
Нет в наличии
Описание FJP5304DTU
| Упаковка | Tube |
|---|---|
| Серия | FJP5304D |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Высота | 9.4 mm (Max) |
| Длина | 10.67 mm (Max) |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Ширина | 4.83 mm (Max) |
| Вес изделия | 1.800 g |
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Pd - рассеивание мощности | 70 W |
| Конфигурация | Single |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 400 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.5 V |
| Полярность транзистора | NPN |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 700 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 12 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 4 A |
| Непрерывный коллекторный ток | 4 A |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 8 |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 40 |
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка FJP5304DTU , Биполярные транзисторы - BJT NPN Triple Diffused Planar Silicon
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 236 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2098 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара