MR2A08AYS35, nvram 4mb 3.3v 35ns 512kx8 parallel магниторезистивная оперативная память (mram)

Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара

NVRAM 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel Магниторезистивная оперативная память (MRAM)
Код товара: 10332754
Дата обновления: 28.02.2022 08:20
Доставка MR2A08AYS35 , NVRAM 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel Магниторезистивная оперативная память (MRAM) в город Калининград
Boxberry
от 9 раб. дней
от 761
DPD РФ
от 7 раб. дней
от 670
Деловые линии
от 10 раб. дней
от 1586
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290
EMS
от 4 раб. дней
от 1363
СДЭК
от 4 раб. дней
от 724
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.

Описание MR2A08AYS35

Минимальная рабочая температура0 C
Максимальная рабочая температура+ 70 C
Вид монтажаSMD/SMT
СерияMR2A08A
УпаковкаTray
Вес изделия5.216 g
ECCNEAR99
Упаковка / блокTSOP-44
Напряжение питания - мин.3 V
Напряжение питания - макс.3.6 V
Чувствительный к влажностиYes
Рабочий ток источника питания50 mA
Ширина шины данных8 bit
Тип интерфейсаParallel
Размер памяти4 Mbit
Организация512 k x 8
Время доступа35 ns