BC857SH6327XTSA1, биполярные транзисторы - bjt af transistor
Биполярные транзисторы - BJT AF TRANSISTOR
Производитель:
Infineon Technologies
Артикул:
BC857SH6327XTSA1
Описание BC857SH6327XTSA1
Вид монтажа | SMD/SMT |
---|---|
Упаковка / блок | SOT-363-6 |
Минимальная рабочая температура | 65 C |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Серия | BC857 |
Квалификация | AEC-Q101 |
Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
Технология | Si |
Вес изделия | 7.500 mg |
ECCN | EAR99 |
Pd - рассеивание мощности | 250 mW |
Конфигурация | Dual |
Полярность транзистора | PNP |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 45 V |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 50 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 250 mV |
Максимальный постоянный ток коллектора | 200 mA |
Непрерывный коллекторный ток | 100 mA |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 200 |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 250 MHz |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 630 |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара