BFP 640FESD H6327, рч биполярные транзисторы rf bi
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
Описание BFP 640FESD H6327
| Тип | RF Silicon Germanium |
|---|---|
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка / блок | TSFP-4-1 |
| Серия | BFP640 |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Технология | SiGe |
| Вес изделия | 8 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Pd - рассеивание мощности | 200 mW |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 4.8 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 50 mA |
| Тип транзистора | Bipolar |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара